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CEU25N02

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=23mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=33mW@VGS=2.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=23mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=33mW@VGS=2.5V. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

DiscreteDiodes

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SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

SIRECTIFIER
更新时间:2025-7-6 19:56:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET
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TO-252
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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TO-252-2(DPAK)
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TO-252
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NK/南科功率
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TO-252
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