| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz Description The PXAD214218FV is a 430-watt (P3dB) LDMOS FET with an asymmetrical design intended for use in multi-standard cellular power amplifier applications in the 2110 to 2170 MHz frequency band. Features include dual-path design, input and output matching, high gain and thermally-enhanc | WOLFSPEED |   | ||
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz 文件：391.51 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz 文件：524.55 Kbytes Page：9 Pages | Cree 科锐 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-1-7W25M512JVEIQ公司原装现货
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2019-11-6W25M512JVFIQ公司原装现货
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2019-11-6VZH470M1VTR-0606K
VZH470M1VTR-0606K，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-10-10
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