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SIA850DJ中文资料

厂家型号

SIA850DJ

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116.62Kbytes

页面数量

9

功能描述

N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode

MOSFET 190V 0.95A 7.0W

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SIA850DJ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA850DJ

  • 功能描述

    MOSFET 190V 0.95A 7.0W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
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