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SIA814DJ-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIA814DJ-T1-GE3

文件大小

245.44Kbytes

页面数量

12

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode

MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SIA814DJ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA814DJ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-14 8:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
17+
QFN
6200
100%原装正品现货
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

SIA814DJ-T1-GE3-CUTTAPE 价格

参考价格:¥3.7017

型号:SIA814DJ-T1-GE3-CUTTAPE 品牌:VISHAY 备注:这里有SIA814DJ-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIA814DJ-T1-GE3批发/采购报价,SIA814DJ-T1-GE3行情走势销售排排榜,SIA814DJ-T1-GE3报价。