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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VT1060C-M3-4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and | VishayVishay Siliconix 威世科技 |   | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |
VT1060C-M3-4W产品属性
- 类型
描述
- 型号
VT1060C-M3-4W
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VIS |
23+ |
TO-220AB |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO220AB |
8000 |
只做原装现货 |
|||
VIS |
TO-220AB |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
24+ |
N/A |
52000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
VIS |
25+ |
TO-TO-220AB |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Vishay |
2023+环保现货 |
TO-220AB |
5050 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
|||
VISHAY |
25+ |
TO-220 |
3675 |
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2020-10-19VUO62-16NO7
VUO62-16NO7,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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VST025N15HS，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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VST012N15HS，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-26
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