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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VFT1060C-M3-4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
VFT1060C-M3-4W产品属性
- 类型
描述
- 型号
VFT1060C-M3-4W
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
XP Power |
24+ |
N/A |
12000 |
一级代理保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
ASI |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 全封装 隔离接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ASI |
24+ |
260 |
现货供应 |
||||
XPPower |
24+ |
NA |
1717 |
进口原装正品优势供应 |
|||
N/A |
CAN |
3 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
N/A |
2023+ |
CAN |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
TECCOR/LITT |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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2019-9-25
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