| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A) Applications • High frequency DC-DC converters Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current | IRF |   | ||
HEXFET Power MOSFET Applications • High frequency DC-DC converters • Plasma Display Panel • Lead-Free Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalan | IRF | | ||
HEXFET Power MOSFET Applications • High frequency DC-DC converters • Plasma Display Panel • Lead-Free Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalan | IRF | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：339.21 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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