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VS-C04ET07T-M3 | 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 4 A FEATURES • Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material • Positive VF temperature coefficient for easy paralleling • Virtually no recovery tail and no switching losses • Temperature invariant switching behavior • 175 °C maximum operating junction temperatur | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VS-C04ET07T-M3 | 封装/外壳：TO-220-2 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | |
VS-C04ET07T-M3 | 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 4 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VS-C04ET07T-M3 | 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 4 A 文件：147.62 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode, 4 A FEATURES • Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material • Positive VF temperature coefficient for easy paralleling • Virtually no recovery tail and no switching losses • Temperature invariant switching behavior • 175 °C maximum operating junction temperatur | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VITESSE |
22+ |
QFP100 |
20000 |
公司只做原装 品质保证 |
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VITESSE |
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QFP-64P |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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24+ |
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VITESSE |
05+ |
QFP |
300 |
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VIT |
25+ |
QFP |
4860 |
品牌专业分销商,可以零售 |
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VITESSE |
2447 |
QFP |
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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VITESSE |
23+ |
QFP100 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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VITESSE |
2023+ |
QFP |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
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2023+ |
3000 |
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VITESSE |
25+23+ |
QFP100 |
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VSC2132-08UQ
VSC2132-08UQ
2023-8-3VS-705-ECE-KAAN-644M53125
进口代理
2022-7-30VSC3303XHV-01
VSC3303XHV-01
2022-4-29VSC3212YP
VSC3212YP
2022-4-29VS-85HFR120M
VS-85HFR120M，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-7-14VS6522AD
VS6522AD，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-18
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