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40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad

RENESAS

瑞萨

40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad

RENESAS

瑞萨

Palm Grips cast iron - plastic coated

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PRESTO

Power Failure Elapsed Time Counter

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AMI

更新时间:2025-12-27 17:46:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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瑞萨全系列在售,大代理渠道直供
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