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VR5510_V02

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HighSpeedInfraredEmittingDiode,870nm,GaAlAsDoubleHetero

DESCRIPTION TSFF5510isaninfrared,870nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Leadswithstand-off •

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威世科技威世科技半导体

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HighSpeedInfraredEmittingDiode,830nm,GaAlAsDoubleHetero

DESCRIPTION TSHG5510isaninfrared,830nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Leadswithstand-off •

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威世科技威世科技半导体

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更新时间:2025-7-29 20:00:00
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