VNB20N07-E价格

参考价格:¥7.8746

型号:VNB20N07-E 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有VNB20N07-E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,VNB20N07-E批发/采购报价,VNB20N07-E行情走势销售排行榜,VNB20N07-E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VNB20N07-E

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNB20N07-E

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP20N07FI, VNB20N07 and VNV20N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VlPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the

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意法半导体

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半导体

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半导体

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP20N07 is a monolithic device made using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh

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VNB20N07-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNB20N07-E

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-18 20:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
原厂封装
13528
振宏微原装正品,假一罚百
ST
20+
na
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST
2019+
TO-263
3050
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
STMicr
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
ST/意法半导体
23+
TO-263-3
12700
买原装认准中赛美
ST 询价加Q
23+
TO252
20000
ST(意法)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ST/意法半导体
21+
TO-263-3
8860
原装现货,实单价优
ST/意法
24+
TO-263
42916
只做原装进口现货
ST/意法
2023+
TO-263
3050
一级代理优势现货,全新正品直营店

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