VNB20N07-E价格

参考价格:¥7.8746

型号:VNB20N07-E 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有VNB20N07-E多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,VNB20N07-E批发/采购报价,VNB20N07-E行情走势销售排行榜,VNB20N07-E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VNB20N07-E

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNB20N07-E

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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意法半导体

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP20N07FI, VNB20N07 and VNV20N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VlPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the

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意法半导体

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半导体

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半导体

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP20N07 is a monolithic device made using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh

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VNB20N07-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNB20N07-E

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-4 13:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
23+
NA
6800
原装正品,力挺实单
ST/意法
24+
NA/
6300
原厂直销,现货供应,账期支持!
ST
2019+
TO-263
3050
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST(意法半导体)
25+
N/A
11543
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ST/意法半导体
2021+
TO-263-3
7600
原装现货,欢迎询价
ST 询价加Q
24+
TO252
5000
十年沉淀唯有原装
ST(意法半导体)
2021+
D2PAK
499
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ST
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ST
2511
D2PAK
16900
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

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