位置：首页 > IC中文资料第11524页 > VI20150C
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VI20150C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.59VatIF=5A UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
VI20150C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：130.99 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VI20150C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：161.59 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
TrenchMOSSchottkytechnology UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10 | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABa | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.59VatIF=5A UltraLowVF=0.59VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordanc | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division |  | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：130.99 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：130.99 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
20ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS PRODUCTFEATURES 1.FLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 2.EXTREMELYLOWVF 3.LOWSTOREDCHARGE 4.MAJORITYCARRIERCONDUCTION 5.LOWPOWERLOSS/HIGHEFFICIENCY 6.CASE:TRANSFERMOLDEDTO-220ABFORMBR20xxxCTITO-220ABFORMBR20xxxFCT 7.DIMENSIONSININCHESAND(MILLIMETERS) 8.LEADS:SOL | FRONTIER Frontier Electronics |  | | |
INDUSTRIALMICROWAVEGENERATORS2450MHZ 文件：240.25 Kbytes Page：4 Pages | MKS MKS Instruments. |  | | |
20.0AmpereSurfaceMountDualCommonCathodeSchottkyBarrierRectifiers 文件：778.85 Kbytes Page：2 Pages | THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司 |  | | |
LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER 文件：62.01 Kbytes Page：3 Pages | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 |  | | |
LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER 文件：72.78 Kbytes Page：4 Pages | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 | | |
VI20150C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VI20150C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原装 |
22+23+ |
13676 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
||||
VISHAY |
22+ |
1750 |
原厂原装,价格优势!13246658303 |
||||
VISHAY/威世 |
21+ |
TO-262AA |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY/威世 |
TO-262 |
501615 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
VISHAY/威世 |
2023+ |
TO262 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
VishaySemiconductorDiode |
2019+ |
TO-262AA |
65500 |
原装正品货到付款,价格优势! |
|||
Vishay(威世) |
22+ |
N/A |
11800 |
正规渠道,只有原装! |
|||
VISHAY/威世 |
TO262 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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- P64
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