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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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VI20150C-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordanc | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VI20150C-E3SLASH4W | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.4 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordanc | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • AEC-Q101 qualified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordanc | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VICOR |
23+ |
模块 |
120 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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VISHAY/威世 |
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TO-262AA |
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VISHAY/威世 |
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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VISHAY/威世 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262AA |
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原厂渠道,现货配单 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
NA |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY/威世 |
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