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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VI20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VI20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
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VI20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation; | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 200A Surge Rating ● Glass to metal construction ● VRRM to 1200V ● Excellent reliability | MICROSEMI 美高森美 | | ||
Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 200A Surge Rating ● Glass to metal construction ● VRRM to 1200V ● Excellent reliability | MICROSEMI 美高森美 | | ||
SILICON POWER RECTIFIER Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 200A Surge Rating ● Glass to metal construction ● VRRM to 1200V | MICROSEMI 美高森美 | | ||
RECTIFIER 文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
RECTIFIER 文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
VI20120SG产品属性
- 类型
描述
- 型号
VI20120SG
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
TO262AA |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VISHAY |
07+ |
TO-262 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY原装 |
25+23+ |
TO-262 |
24164 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-262AA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
原装VISHAY |
19+ |
TO-262AA |
20000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Vishay/GeneralSemiconduc |
24+ |
TO-262AA |
987 |
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VISHAY原装 |
24+ |
TO-262 |
30980 |
原装现货/放心购买 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO262AA |
2600 |
原厂原装正品 |
|||
VISHAY |
22+ |
TO-262 |
20000 |
公司只做原装 品质保证 |
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