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VI20120SG-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 包装:卷带(TR) 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B

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Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B

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VI20120SG-E3/4W产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VI20120SG-E3/4W

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-8-19 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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原厂渠道,现货配单
VISHAY
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原厂原装,价格优势
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VISHAY/威世
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