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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VI20100C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
VI20100C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：161.11 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VI20100C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：164.31 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VI20100C | DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：151.62 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
TrenchMOSSchottkytechnology UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmaximum10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：161.11 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division |  | | |
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-262AA 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | | | |
SWITCHMODE??PowerRectifierD2PAKSurfaceMountPowerPackage SWITCHMODEPowerRectifier D2PAKSurfaceMountPowerPackage TheD2PAKPowerRectifierisastate−of−the−artdevicethatemploystheuseoftheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal. Features •PackageDesignedforPowerSurfaceMountApplications •Center−TapConfiguration | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
INDUSTRIALMICROWAVEGENERATORS2450MHZ 文件：240.25 Kbytes Page：4 Pages | MKS MKS Instruments. |  | | |
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VI20100C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VI20100C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2020+ |
TO262AA |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO-262 |
8600 |
全新原装现货 |
|||
原装VISHAY |
21+ |
TO-262AA |
35200 |
一级代理/放心采购 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-262 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO262AA |
2600 |
原厂原装正品 |
|||
VISHAY |
1735+ |
TO262AA |
6528 |
科恒伟业!只做原装正品!假一赔十! |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO262AA |
9000 |
原装正品，支持实单 |
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原装VISHAY |
19+ |
TO-262AA |
20000 |
原装现货假一罚十 |
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VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-262-3 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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