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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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VI20100C-E3 | TrenchMOSSchottkytechnology UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
VI20100C-E3 | DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmaximum10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：散装 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO262 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division |  | | |
DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier 文件：161.11 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
TrenchMOSSchottkytechnology UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmaximum10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
TrenchMOSSchottkytechnology UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmaximum10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB, | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
TrenchMOSSchottkytechnology UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VI20100C-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
VI20100C-E3
- 功能描述
肖特基二极管与整流器 20 Amp 100 Volt Dual TrenchMOS
- RoHS
否
- 制造商
Skyworks Solutions, Inc.
- 产品
Schottky Diodes
- 峰值反向电压
2 V
- 正向连续电流
50 mA
- 配置
Crossover Quad
- 正向电压下降
370 mV
- 最大功率耗散
75 mW
- 工作温度范围
- 65 C to + 150 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-143
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
TO262AA |
396379 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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VISHAY/威世 |
TO262AA |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO262AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO262AA |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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VISHAY |
23+ |
TO-262 |
8600 |
全新原装现货 |
|||
Vishay General Semiconductor - |
24+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
30000 |
二极管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
原装VISHAY |
21+ |
TO-262AA |
35200 |
一级代理/放心采购 |
|||
VISHAY |
21+ |
TO-262 |
9866 |
||||
VISHAY |
23+ |
TO262AA |
2600 |
原厂原装正品 |
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