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VFT6045C价格
参考价格：￥8.4407
型号：VFT6045CBP-M3/4W 品牌：Vishay 备注：这里有VFT6045C多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VFT6045C批发/采购报价，VFT6045C行情走势销售排行榜，VFT6045C报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VFT6045C | Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：74.25 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • TJ 200 °C max. in solar bypass mode application • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：81.86 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：83.43 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：83.43 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：83.8 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：81.86 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V ITO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：83.43 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 文件：81.86 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：80.61 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 60A 45V ITO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.16 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 14.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D | ISC 无锡固电 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV® N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | ADPOW | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- | ISC 无锡固电 | | ||
SINGLE POLE, SINGLE THROW CONNECTORIZED SWITCHES 文件：40.48 Kbytes Page：1 Pages | MICRONETICS 微盟电子 | |
VFT6045C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VFT6045C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
TO220F |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
ST |
23+ |
2500 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
ITO-220AB |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220F |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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XP Power |
24+ |
N/A |
12000 |
一级代理保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
|||
VF |
24+ |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！ |
||||
XPPower |
24+ |
NA |
1097 |
进口原装正品优势供应 |
|||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 全封装 隔离接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
JINGDAO/晶导微 |
23+ |
SMC(DO-214AB) |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
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VDS1022
优势渠道
2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
VEMI85AA-HGK-GS08
2023-4-20VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10VHR100+2812D DC-DC转换器 供应
VHR100+2812D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10vH5MS1G22MFP-J3
H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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