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VF401价格

参考价格：￥18.6278

型号：VF401 品牌：Honeywell 备注：这里有VF401多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VF401批发/采购报价，VF401行情走势销售排行榜，VF401报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
VF401	2-Wire Solid State Switch 文件：616.79 Kbytes Page：5 Pages	Honeywell 霍尼韦尔	Honeywell
VF401	封装/外壳：径向功能：专用型包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：MAGNETIC SWITCH SPEC PURP RADIAL 传感器，变送器磁性传感器 - 开关（固态）	ETC 知名厂家	ETC
VF401	两线制 MR 环形磁微距传感器集成电路。扁平 TO-92 样式封装。增强灵敏度，典型值为 ±7 G。数字拉电流输出	Honeywell 霍尼韦尔	Honeywell
VF40100C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max., 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICA	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100C_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max., 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICA	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100C-E3	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Low thermal resistance • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYP	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYP	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G-E3	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C	Powerpack MOS Schottky Barrier Rectifier Features · Trench Mos Schottky Barrier · Guardring for overvoltage Protection · Low Forward Voltage Drop · Low Reverse Leakage Current · High Surge Current Capability · Plastic Material has UL Flammability Classification 94V-O	DAESAN	DAESAN
VF40120C_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C-E3	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.65 Kbytes Page：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：155.39 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件：167.8 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100C_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：85.42 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100C-E3	Dual High Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100C-E3/4W	封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	ETC 知名厂家	ETC
VF40100C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件：167.8 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件：167.8 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G-E3	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.52 Kbytes Page：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G-E3	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：151.39 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40100G-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.36 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.48 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.26 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C_10	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.36 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.17 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40120C-M3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.36 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.16 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 文件：168.66 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier5 文件：163.73 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.4 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C_10	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C-E3	Low forward voltage drop, low power losses 文件：157.16 Kbytes Page：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.73 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 文件：168.66 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VF40150C-E3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.16 Kbytes Page：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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401	SPACERS & STANDOFFS 文件：282.99 Kbytes Page：1 Pages	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.	KEYSTONE
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401A	Extruded Heat Sinks 文件：351.51 Kbytes Page：7 Pages	WAKEFIELDTHERMAL	WAKEFIELDTHERMAL

VF401产品属性

类型
描述
型号
VF401
功能描述
板机接口移动感应器和位置传感器 2 Wire 3.8 Vdc to 24 Vdc
RoHS
否
制造商
Panasonic Electric Works
封装/箱体
TO-5
感应距离
3 m
输出类型
Digital
电源电压-最大
6 V
电源电压-最小
2.3 V
最大工作温度
+ 60 C
封装
Bulk

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更新时间：2025-12-25 13:35:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	VF40100C-E3/4W	VF40100C	25+	86720	40100	2019+	询价
深圳市博中泰实业有限公司	VF40150C-E3/4W	VISHAY/威世	24+	TO-220F	60000		询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	VF40120C-E3	VISHAY/威世	24+	TO220F	21574	郑重承诺只做原装进口现货	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	VF40100C-E3/4W	VISHAY	24+	TO-220F	5000	十年沉淀唯有原装	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	VF40100C	VISHAY	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳市勤思达科技有限公司	VF40100C-E3/4W	VISHAY	24+	N/A	8000	全新原装正品,现货销售	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	VF40150C	Vishay(威世)	24+	标准封装	8048	原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	VF40150C-E3/4W	VISHAY/威世	2450+	TO-220F	9850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	VF40100C-E3/45	VISHAY/威世通	20+	TO220F-3	38560	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	VF40100C-E3/4W	GENERALSEMICONDUCTORVISHAY	21+	NA	12820	只做原装,质量保证	询价

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2023-4-20
VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17
VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10
VHR100+2812D DC-DC转换器供应
VHR100+2812D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10
vH5MS1G22MFP-J3
H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25

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