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VF401价格

参考价格：￥18.6278

型号：VF401 品牌：Honeywell 备注：这里有VF401多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VF401批发/采购报价，VF401行情走势销售排行榜，VF401报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
VF401	两线制 MR 环形磁微距传感器集成电路。扁平 TO-92 样式封装。增强灵敏度，典型值为 ±7 G。数字拉电流输出 VF401 是一款高性能的数字式双线 MR（磁阻）传感器，采用小型扁平式的 TO-92 塑料封装，带有电流输出端口，专为细间距环形磁铁的感测而设计。\n 独特的 VF401 桥布局（专利号 6297628 ）经过优化，允许目标和传感器之间存在较大气隙，减小传感器信号或精度的损失。\n VF401 对跑偏（传感器位置相对于环形磁铁内径或外径的漂移）的灵敏度降低。而且它对倾斜误差（与信号元件和环形磁铁平行位置的偏差）的敏感度也降低，允许误差高达 10°。而典型的环形磁铁传感器仅为 2°至 3°，并且受扭转（电桥槽相对于磁极转换与理想角度位置的偏差）的影响更小。 ·Robust design operating from -40 °C to 150 °C [-40 °F to 302 °F] can withstand short durations up to 175 °C [347 °F], allowing use in potential applications with extreme temperature requirements.\n·Not damaged by reverse polarity voltages when customer-supplied sense resistor is installed, enhancin;	HONEYWELL 霍尼韦尔	HONEYWELL
VF401	封装/外壳：径向功能：专用型包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：MAGNETIC SWITCH SPEC PURP RADIAL 传感器，变送器磁性传感器 - 开关（固态）	ETC 知名厂家	ETC
VF401	2-Wire Solid State Switch 文件：616.79 Kbytes Page：5 Pages	HONEYWELL 霍尼韦尔	HONEYWELL
VF40100C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max., 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICA	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100C_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C max., 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICA	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100C-E3	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Low thermal resistance • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100C-E3	Dual High Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYP	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Solder dip 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYP	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C	Powerpack MOS Schottky Barrier Rectifier Features · Trench Mos Schottky Barrier · Guardring for overvoltage Protection · Low Forward Voltage Drop · Low Reverse Leakage Current · High Surge Current Capability · Plastic Material has UL Flammability Classification 94V-O	DAESAN	DAESAN
VF40120C_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C_V01	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-E3	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.65 Kbytes Page：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：155.39 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件：167.8 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100C_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：85.42 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件：167.8 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100C-E3/4W	封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列	ETC 知名厂家	ETC
VF40100C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A 文件：167.8 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.52 Kbytes Page：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：151.39 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 文件：167.61 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40100G-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.36 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.48 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.26 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C_10	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.36 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C_15	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.17 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40120C-M3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.36 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.16 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 文件：168.66 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier5 文件：163.73 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.4 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C_10	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-E3	Low forward voltage drop, low power losses 文件：157.16 Kbytes Page：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.73 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-E3/4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 文件：168.66 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-E3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.16 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-E3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier5 文件：163.73 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A 文件：168.66 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-E3SLASH4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.73 Kbytes Page：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
VF40150C-M3-4W	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.25 Kbytes Page：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
FL401	IN-LINE MINIATURE SINGLE PHASE SILICON BRIDGE(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 4.0 Amperes) FEATURES • Plastic material has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • Ideal for printed circuit board • Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique • Surge overload rating: 200 Amperes peak • Pb free product are available : 99 Sn above can meet Rohs	PANJIT 強茂	PANJIT
LR401	SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features low feedback and output capacitances res	POLYFET	POLYFET
CLC401	Fast Settling, Wideband High-Gain Monolithic Op Amp 文件：388.71 Kbytes Page：6 Pages	NSC 国半	NSC
CLC401AJE	Fast Settling, Wideband High-Gain Monolithic Op Amp 文件：388.71 Kbytes Page：6 Pages	NSC 国半	NSC
CLC401AJP	Fast Settling, Wideband High-Gain Monolithic Op Amp 文件：388.71 Kbytes Page：6 Pages	NSC 国半	NSC

VF401产品属性

类型
描述
Product Type：
Magnetoresistive digital ring magnet speed sensor IC
Package Type：
Flat TO-92-style
Magnetic Actuation Type：
Differential bridge

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更新时间：2026-5-20 22:30:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	VF40150C	VISHAY	24+	TO220F	8000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市腾亿芯科技有限公司	VF40100C-E3/4W	VISHAY	22+	TO-220F	20000		询价
深圳市正纳电子有限公司	VF40100C-M3/4W	Vishay(威世)	23+	NA	20094	正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持	询价
深圳市达恩科技有限公司	VF40100C-E3/4W	Vishay	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	VF40100C-M3/4W	VISHAY			3000	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	VF40100C-E3/4W	VISHAY	26+	原厂封装	8900000	一级总代理商原厂原装大批量现货一站式服务	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	VF40150C-E3/4W	VISHAY/威世	2450+	TO-220F	9850	只做原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	VF401	Honeywell	25+	TO92S-2	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	VF40100C-M3/4W	VISHAY	25+	ITO-220	3000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	VF40100C-E3/4W	VISHAY	25+23+	TO-220F	16223	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价

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VDS1022
优势渠道
2023-6-27
VEMI85AA-HGK-GS08
VEMI85AA-HGK-GS08
2023-4-20
VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17
VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10
VHR100+2812D DC-DC转换器供应
VHR100+2812D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10
vH5MS1G22MFP-J3
H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25

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