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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VF40120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
VF40120C | Powerpack MOS Schottky Barrier Rectifier Features · Trench Mos Schottky Barrier · Guardring for overvoltage Protection · Low Forward Voltage Drop · Low Reverse Leakage Current · High Surge Current Capability · Plastic Material has UL Flammability Classification 94V-O | DAESAN | | |
VF40120C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.48 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF40120C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.26 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF40120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF40120C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.36 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
VF40120C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.36 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：79.17 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V ITO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
肖特基二极管与整流器 40 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：散装 描述：DIODE SCHOTTKY 40A 100V ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.36 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an | WOLFSPEED | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT Description Wolfspeed’s CGH40120P is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120P, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high ga | WOLFSPEED | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages | Cree 科锐 | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages | Cree 科锐 | | ||
120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages | Cree 科锐 | |
VF40120C产品属性
- 类型
描述
- 型号
VF40120C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
ITO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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N/A |
25+ |
ROHS |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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VISHAY原装 |
25+23+ |
TO-220F |
23431 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
FAGOR |
23+ |
INSULATEDTO-220AB |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO220F |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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VISHAY/威世 |
24+ |
TO220F |
21574 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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VISHAY |
17+ |
TO220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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VISHAY |
15+ |
TO220 |
40 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY/威世 |
2447 |
TO220F |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
ITO220AB |
8000 |
只做原装现货 |
VF40120C规格书下载地址
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VDS1022
优势渠道
2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
VEMI85AA-HGK-GS08
2023-4-20VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10VHR100+2812D DC-DC转换器 供应
VHR100+2812D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10vH5MS1G22MFP-J3
H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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