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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VF20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VishayVishay Siliconix 威世科技 |   | |
VF20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VF20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VF20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.37 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VF20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
VF20120SG | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.37 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：75.41 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：带盒（TB） 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片 包装：带盒（TB） 描述：DIODE SCHOTTKY 20A 120V ITO220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：78.37 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr | AOSMD 万国半导体 | | ||
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER 文件：52.63 Kbytes Page：2 Pages | PANJIT 強茂 | | ||
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER 文件：71.1 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 | | ||
Ultra low forward voltage drop, low power loss 文件：98.01 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 | | ||
Ultra low forward voltage drop, low power loss 文件：67.95 Kbytes Page：4 Pages | PANJIT 強茂 | |
VF20120SG产品属性
- 类型
描述
- 型号
VF20120SG
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
性 |
24+ |
NA/ |
3260 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
VISHAY |
24+ |
TO220F |
8000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
VISHAY |
1932+ |
TO-220F |
413 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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Vishay/GeneralSemiconduc |
24+ |
ITO-220AB |
697 |
||||
VISHAY |
23+ |
TO-220F |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
VISHAY |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
VF20120SG规格书下载地址
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- VF25-15
- VF25-12
- VF25-10
- VF-24MU
- VF-24LU
- VF-24HU
- VF2-40X
- VF2-40
- VF2-30X
- VF2-30
- VF2-25X
- VF2-25
- VF2-20X
- VF2-15X
- VF2-12X
- VF2-10X
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- VF20150SG-M3/4W
- VF20150SG-E3/4W
- VF20150SG_10
- VF20150SG
- VF20150S-E3/4W
- VF20150S
- VF20150C-M3-4W
- VF20150C-M3/4W
- VF20150C-E3/4W
- VF20150C_10
- VF20150C
- VF20120S-M3/4W
- VF20120SG-M3-4W
- VF20120SG-M3/4W
- VF20120SG-E3-4W
- VF20120SG-E3/4W
- VF20120SG-E3/45
- VF20120SG_10
- VF20120S-E3/4W
- VF20120S-E3/45
- VF20120S
- VF20120C-M3-4W
- VF20120C-M3/4W
- VF20120C-E3/4W
- VF20120C_10
- VF20120C
- VF20100S-M3/4W
- VF20100SG-M3/4W
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- VF20100SG
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VF20120SG数据表相关新闻
VDS1022
优势渠道
2023-6-27VEMI85AA-HGK-GS08
VEMI85AA-HGK-GS08
2023-4-20VDRUS14X385BSE
VDRUS14X385BSE
2021-8-17VHR100+2815D 全系列DC-DC转换器供应
?VHR100+2815D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10VHR100+2812D DC-DC转换器 供应
VHR100+2812D 非常适合军事、航空电子、无人系统以及制造设备和控制中的非飞行关键解决方案。
2021-6-10vH5MS1G22MFP-J3
H5MS1G22MFP-J3
2019-9-25
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