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VF20120SG-E3/4W中文资料

厂家型号

VF20120SG-E3/4W

文件大小

166.5Kbytes

页面数量

5

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

VF20120SG-E3/4W数据手册规格书PDF详情

Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

VF20120SG-E3/4W产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VF20120SG-E3/4W

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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