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P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-60V,-15A,RDS(ON)=105mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -60V,-14A,RDS(ON)=125mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=175mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-60V,-13A,RDS(ON)=105mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:988.36 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

文件:441.65 Kbytes Page:4 Pages

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET
更新时间:2024-6-22 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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TO-251
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CET/華瑞
23+
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CET
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假一罚十原包原标签常备现货!
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78800
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