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isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • Drain Current :ID= 20A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 50mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • LED backl

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杜因特

N-Channel Power MOSFET

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长电科技

更新时间:2025-12-27 13:31:01
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