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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VBT30L60C-E3 | Low forward voltage drop, low power losses 文件：89.37 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：散装 描述：DIODE SCHOTTKY 30A 60V TO-263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：81.7 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：81.7 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use i | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Low forward voltage drop, low power losses FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC TYPICAL APPLICATIONS For use in high frequency c | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use i | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Low forward voltage drop, low power losses FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC TYPICAL APPLICATIONS For use in high frequency c | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
VBT30L60C-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
VBT30L60C-E3
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 功能描述
30A,60V,TRENCH SKY RECT.
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
Vishay |
23+ |
肖特基二极管和整流二极管 |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
|||
VISHAY |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
||||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-263-3 D?Pak(2 引线 + 接片 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
Vishay Semiconductor Diodes Di |
22+ |
TO263AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY(威世) |
2447 |
TO-263-2 |
105000 |
800片/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
|||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
VISHAY/威世 |
TO-263-2 |
6000 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
||||
Vishay(威世) |
2511 |
N/A |
11800 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
VBT30L60C-E3规格书下载地址
VBT30L60C-E3参数引脚图相关
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2023-5-25VBPW34VR
VBPW34VR
2023-2-3VBE5415
VBE5415,TO-252,全新原装,门市自取或当天发货.
2022-6-25VBE2104N
VBE2104N,TO-252,P-Channel 100 V (D-S) MOSFET
2022-6-25VC7645
VC7645，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-9-22VCC6-Q/R 10Mhz~270 Mhz
VCC6-Q/R 10Mhz~270 Mhz
2020-9-18
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