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位置：首页 > IC中文资料第4669页 > VB30120SG-E3

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
VB30120SG-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

VB30120SG-E3

Low forward voltage drop, low power losses

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

VB30120SG-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

VB30120SG-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2

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威世科技威世科技半导体

VB30120SG-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2

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威世科技威世科技半导体

VB30120SG-E3SLASH8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 5 A

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2

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VB30120SG-E3/4W

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

VB30120SG-E3/8W

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

VB30120SG-E3-4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：154.91 Kbytes Page：5 Pages

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VB30120SG-E3-8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：154.91 Kbytes Page：5 Pages

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威世科技威世科技半导体

V30120SG-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB,

VishayVishay Siliconix

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V30120SG-E3

Low forward voltage drop, low power losses

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2

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VF30120SG-E3

Low forward voltage drop, low power losses

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 2

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VB30120SG-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VB30120SG-E3

  • 功能描述

    肖特基二极管与整流器 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 产品

    Schottky Diodes

  • 峰值反向电压

    2 V

  • 正向连续电流

    50 mA

  • 配置

    Crossover Quad

  • 正向电压下降

    370 mV

  • 最大功率耗散

    75 mW

  • 工作温度范围

    - 65 C to + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-143

  • 封装

    Reel

VB30120SG-E3供应商更多...

更新时间：2025-8-14 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
VB30150C
VISHAY/威世
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NA/
3365
原装现货,当天可交货,原型号开票
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Vishay Semiconductor Diodes Di
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艾睿（深圳）半导体有限公司
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VISHAY/威世
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VB30120SG-E3
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    VAS1260，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

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