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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VB2140_V01 | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VBSEMI 微碧半导体 | ||
JFE2140 Ultra-Low Noise, Matched, Dual, Low-Gate Current, Discrete, Audio, N‑Channel JFET 1 Features • Ultra-low noise: – Voltage noise: • 0.9 nV/√Hz at 1 kHz, IDS = 5 mA • 1.1 nV/√Hz at 1 kHz, IDS = 2 mA – Current noise: 1.6 fA/√Hz at 1 kHz • Low VGS mismatch: 4 mV (max) • Low gate current: 10 pA (max) • Low input capacitance: 13 pF at VDS = 5 V • High gate-to-drain and gate- | TI 德州仪器 | |||
Complete SDARS Receiver 文件:1.05336 Mbytes Page:15 Pages | Maxim 美信 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-2-3VAWQ6-Q48-D15H
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2022-8-18VBE5415
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2022-6-25VBE2104N
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VAS1260,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五,八五二七四六六二 ,企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.
2021-6-17V962PBC-33LP
二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感 器、逻辑芯片、电源芯片、放大器、
2019-3-12
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