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JFE2140_V01

JFE2140 Ultra-Low Noise, Matched, Dual, Low-Gate Current, Discrete, Audio, N‑Channel JFET

1 Features • Ultra-low noise: – Voltage noise: • 0.9 nV/√Hz at 1 kHz, IDS = 5 mA • 1.1 nV/√Hz at 1 kHz, IDS = 2 mA – Current noise: 1.6 fA/√Hz at 1 kHz • Low VGS mismatch: 4 mV (max) • Low gate current: 10 pA (max) • Low input capacitance: 13 pF at VDS = 5 V • High gate-to-drain and gate-

TI

德州仪器

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

VBSEMI

微碧半导体

Complete SDARS Receiver

文件:1.05336 Mbytes Page:15 Pages

Maxim

美信

更新时间:2026-1-3 23:00:00
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