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40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad

RENESAS

瑞萨

40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

Features • Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) • Ultra low total gate charge 19nC (typical) • ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) • ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad

RENESAS

瑞萨

Palm Grips cast iron - plastic coated

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WIXROYD

ENGINEERS CUTTING TOOLS

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PRESTO

Power Failure Elapsed Time Counter

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AMI

更新时间:2025-12-27 17:46:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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瑞萨全系列在售,大代理渠道直供
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  • V7-6B19D8

    V7-6B19D8,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

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    类型 衬垫 形状 圆形 应用 通用 - 轴向,径向 材料 聚丙烯 颜色 - 特性 - 长度 - 宽度 - 高度 0.098(2.49mm) 直径 - 外部 0.362(9.20mm) 直径 - 内部 0.200(5.08mm)

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