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V40100CI-M3SLASHP

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A

• Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更新时间:2026-2-1 13:20:00
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