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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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V40100CI-M3/P | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：136.08 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   | |
V40100CI-M3/P | 封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：40A 100V TRENCH SKY RECT 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |
更新时间：2025-8-19 18:49:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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Vishay(威世) |
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VISHAY/威世 |
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TO-220 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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