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VB20120SG-E3SLASH4W中文资料

厂家型号

VB20120SG-E3SLASH4W

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5

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

VB20120SG-E3SLASH4W数据手册规格书PDF详情

Ultra Low VF= 0.54 V at IF= 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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