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位置：首页 > IC中文资料第6235页 > V12P10

V12P10价格

参考价格：￥2.5977

型号：V12P10HM3/86A 品牌：Vishay 备注：这里有V12P10多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，V12P10批发/采购报价，V12P10行情走势销售排行榜，V12P10报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
V12P10

High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automatic placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available -

VISHAYVishay Siliconix

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V12P10

High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

分立 Very low profile - typical height of 1.1 mm\nIdeal for automatic placement\nTrench MOS Schottky technology;

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V12P10

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10_V01

High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automatic placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available -

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V12P103

High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 6 A

Very low profile - typical height of 1.1 mm\nIdeal for automated placement\nTrench MOS Schottky technology;

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V12P10-M3SLASH86A

ECP5 Versa Development Board User Guide

Features • Half-length PCI Express form-factor —Allows demonstration of PCI Express x1 interconnection • Electrical testing of one full-duplex SERDES channel via SMA connections • USB-B connection for UART and device programming • Two RJ45 interfaces to 10/100/1000 Ethernet to RGMII • On-bo

LATTICE

莱迪思

V12P10_11

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10_15

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10_15

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P1086A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P1086A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P1087A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P1087A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-E3/86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-E3/87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-E3/87A

封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

V12P10-E3SLASH86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HE3/86A

封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 包装：卷带（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

ETC

知名厂家

V12P10HE3/86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HE3/87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HE3SLASH87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HM3

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HM3

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HM3/86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HM3/87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HM386A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HM3-86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HM3-87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HM3SLASH86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10HM3SLASH87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世威世科技公司

V12P10-M3

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-M3

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-M3/86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-M3/87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V12P10-M386A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V12P10-M3-86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：92.17 Kbytes Page：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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V12P10-M3-87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：92.17 Kbytes Page：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V12P10-M3SLASH86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：110.92 Kbytes Page：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V12P10-M3SLASH87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件：110.92 Kbytes Page：5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

FQB12P10

100V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

FAIRCHILD

仙童半导体

FQD12P10

100V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

FAIRCHILD

仙童半导体

FQP12P10

100V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

FAIRCHILD

仙童半导体

FQPF12P10

100V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

FAIRCHILD

仙童半导体

MTP12P10

TMOS POWER FET 12 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM

Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

MOTOROLA

摩托罗拉

V12P10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    V12P10

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全称

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

V12P10供应商更多...

更新时间：2026-5-15 17:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
V12P10-M3/86A
VISHAY
2020+
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10000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
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TO-277A-3
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现货,原厂原装假一罚十!
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深圳市华康联电子科技有限公司
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23+
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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明嘉莱只做原装正品现货
2510000
TO-277A(SMPC)
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深圳市振宏微科技有限公司
V12P10-M3/86A,TCP0G106M8R,FDD6612
SMD1812
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振宏微专业只做正品,假一罚百!
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
V12P10HM3/86A
VISHAY
2025+
TO-277A(SMPC)
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深圳市华斯顿科技有限公司
V12P10-M3/86A
VISHAY
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TO-277A(S
22957
绝对原装正品全新进口深圳现货
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深圳市正纳电子有限公司
V12P10-M3/87A
Vishay(威世)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价

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