位置：首页 > IC中文资料第7122页 > V10150C
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
V10150C | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   | |
V10150C | Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
V10150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131.96 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
V10150C | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：168.31 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
V10150C | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.4 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
V10150C | High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.64 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.63 V at IF = 3 A FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO- | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：723.43 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：168.31 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：161.64 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：168.31 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-220AB 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131.96 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：131.96 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：130.4 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | ||
AT9034 TRI Description 8W LED Downlight w/Dimm Driver - 110Deg beam - Satin Chrome - TRI-CCT | ATOMAitupu Technology Co., Ltd. 爱特姆深圳市爱特姆科技有限公司 | | ||
AT9012 TRI Description 11W LED Downlight with Dimmable Driver - 90 degree beam - Satin Chrome - TRI - SER II | ATOMAitupu Technology Co., Ltd. 爱特姆深圳市爱特姆科技有限公司 | | ||
AT9019 Description 170mm Downlight Extension Plate - Satin Chrome | ATOMAitupu Technology Co., Ltd. 爱特姆深圳市爱特姆科技有限公司 | | ||
Nylon PCB Supports - Imperial Spacing 文件：113.77 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 | | ||
Heyco짰 Nylon PCB Supports - Imperial Spacing 文件：116.57 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | |
V10150C产品属性
- 类型
描述
- 型号
V10150C
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3350 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
VISHAY |
2016+ |
TO-220 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
VISHAY/威世通 |
20+ |
TO220-3 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VISHAY |
10+ |
TO220 |
2750 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY品牌 |
2016+ |
TO-220 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
5250 |
原厂原装正品 |
|||
VISHAY |
TO220 |
53650 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
Vishay General Semiconductor - |
25+ |
TO-220-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220 |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
|||
VISHAY |
17+ |
TO220-3 |
6200 |
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2019-8-31
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