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FDD86113LZ中文资料

厂家型号

FDD86113LZ

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6

功能描述

100V N-Channel MOSFET

MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET

数据手册

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生产厂商

UMW

FDD86113LZ数据手册规格书PDF详情

Features

Shielded Gate MOSFET Technology

HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4)

High performance trench technology for extremely low RDS(on)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package

VDS =100V

ID(at VGS=10V)4.2A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 104mΩ

RDS(ON)(at VGS = 4.5V) < 156mΩ

FDD86113LZ产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD86113LZ

  • 功能描述

    MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 9:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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BOM配单专家,发货快,价格低
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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免费送样原盒原包现货一手渠道联系
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FDD86113LZ 价格

参考价格:¥3.2308

型号:FDD86113LZ 品牌:Fairchild 备注:这里有FDD86113LZ多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDD86113LZ批发/采购报价,FDD86113LZ行情走势销售排排榜,FDD86113LZ报价。