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FDD86110中文资料

厂家型号

FDD86110

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4

功能描述

N-Channel Super Trench Power MOSFET

MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册

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生产厂商

BYCHIP

FDD86110数据手册规格书PDF详情

Features

 VDS= 100V, ID= 78 A

RDS(ON) < 9.0mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 12 mΩ @ VGS =4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

FDD86110产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD86110

  • 功能描述

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 17:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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全新原装

FDD86110 价格

参考价格:¥4.0719

型号:FDD86110 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FDD86110多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDD86110批发/采购报价,FDD86110行情走势销售排排榜,FDD86110报价。