| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
40 V – 50 A – N-channel Power MOS FET Application: Automotive Description The NP50N04YUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 4.8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 25 A) Non logic level drive type Designed for automotive application and AEC-Q101 qualif | RENESAS 瑞萨 | |||
40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON), VGS@10V, ID@8A | PANJIT 強茂 | |||
40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON), VGS@10V, ID@8A | PANJIT 強茂 | |||
40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON), VGS@10V, ID@20A | PANJIT 強茂 | |||
Product Scout Automotive 文件:5.67799 Mbytes Page:6 Pages | RENESAS 瑞萨 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
HSON-8 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
Renesas(瑞萨) |
24+ |
HSON-8(5x5.4) |
13048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
RENESAS |
20+ |
DFN56 |
32550 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
DFN56 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
HSON-8 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
RENESAS |
17+ |
DFN56 |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
22+ |
DFN56 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
RENESAS |
DFN56 |
64540 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
Renesas(瑞萨) |
25+ |
HSON-8(5x5.4) |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
RENESAS |
24+ |
DFN56 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
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德信电子(香港)有限公司 客服经理:林先生 联系电话:0755-33359577
2019-7-25UT54LVDS031-UCC-缓冲器/驱动器...
简介 该UT54LVDS031四Driver是一款四路CMOS差分线路驱动应用而设计的要求超低功耗和高数据速率。该装置目的是支持在155.5 Mbps的数据传输速率超过(77.7兆赫)利用低电压差分信号传输(LVDS)技术。该UT54LVDS031接受TTL输入电平与翻译他们低电压(340mV)差分输出信号。在此外,驱动程序支持的三态功能,可使用禁用的输出级,禁用负载电流,从而去掉了设备闲置的超低电源状态。和同伴的UT54LVDS031四线接收器UT54LVDS032高功率提供新的替代品高速点至点接口伪ECL器件申请。 特征 >155.
2013-2-22UT54LVDS031-UPC-缓冲器/驱动器
特征 >155.5 Mbps的(77.7兆赫)交换速率 +340 mV的差分信号名义问5 V电源 TTL兼容输入 超低功耗CMOS技术 最大5.0ns,传输延迟 3.0ns最高,差分偏移 辐射加固设计,总剂量辐射测试符合MIL - STD-883方法1019 - 总剂量:300 krad(Si)和1Mrad(四) -闭锁免疫(LET的>111 MeV-cm2/mg) 包装选择: - 16引脚扁平封装(双行) 标准微电路图纸5962-
2013-2-22
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