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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM40N04Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l

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爱德微

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features  RDS(ON), VGS@10V, ID@20A

PANJIT

強茂

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.08667 Mbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.59034 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

Superior Avalanche Rugged Technology

文件:876.38 Kbytes Page:8 Pages

SEMIHOW

更新时间:2025-12-27 16:27:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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PANJIT
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