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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DESCRIPTION The UT2312 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 33 mΩ @ VGS =4.5V, ID =5.0 A * RDS(ON) ≤ 40 mΩ @ VGS =2.5 V,

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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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UT2312G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UT2312G

  • 制造商

    UTC-IC

  • 制造商全称

    UTC-IC

  • 功能描述

    20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

更新时间:2025-12-27 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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