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L,S BAND POWER GaAs FET?

DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP.

MITSUBISHI

三菱电机

L,S BAND POWER GaAs FET?

DESCRIPTION The MGF0909A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • High output power P1dB=38dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11dB(TYP.) @f=2.3GHz,Pin=20dBm • High power added efficiency hadd=45(TYP.

MITSUBISHI

三菱电机

0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output

文件:101.43 Kbytes Page:3 Pages

RECOM

1 Watt SIP4 & SIP7 Single Output

文件:101.95 Kbytes Page:3 Pages

RECOM

1 Watt SIP4 Micro Size Single Output

文件:97.15 Kbytes Page:3 Pages

RECOM

更新时间:2026-5-18 11:04:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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