型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
UPG2027TQ-E1

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Low insertion loss : LINS = 0.40 dB TYP. @ Vcont = +2.5 V/0 V, f = 1.0 GHz : LINS = 0.50 dB TYP. @ Vcont = +2.5 V/0 V, f = 2.0 GHz • High lineality : 2f0, 3f0 = 70 dBc TYP. @ Vcont = +2.5 V/0 V, f = 1.0 GHz, Pin = +35 dBm : 2f0, 3f0 = 70 dBc TYP. @ Vcont = +2.5 V/0 V, f = 2.0 GHz, P

RENESAS

瑞萨

封装/外壳:10-UFDFN 裸露焊盘 包装:卷带(TR) 描述:IC RF SWITCH SPDT 2GHZ 10TSON RF/IF,射频/中频和 RFID 射频开关

CEL

NECs L-BAND 4W HIGH POWER SPDT SWITCH IC

文件:366.78 Kbytes Page:7 Pages

NEC

瑞萨

UPG2027TQ-E1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPG2027TQ-E1

  • 功能描述

    RF 开关 IC GaAs SPDT Switch

  • RoHS

  • 制造商

    M/A-COM Technology Solutions

  • 开关数量

    Single

  • 开关配置

    SPDT

  • 介入损耗

    0.6 dB

  • 截止隔离(典型值)

    43 dB

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PQFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-22 16:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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