型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
UPG2008TB-E3

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Low insertion loss : LINS = 0.3 dB TYP. @ Vcont = +3.0 V/0 V, f = 1 GHz LINS = 0.4 dB TYP. @ Vcont = +3.0 V/0 V, f = 2 GHz • High isolation : ISL = 27 dB TYP. @ Vcont = +3.0 V/0 V, f = 0.5 to 2.0 GHz • 6-pin super minimold package (2.0 ´ 1.25 ´ 0.9 mm)

RENESAS

瑞萨

UPG2008TB-E3

GaAs INTEGRATED CIRCUIT

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NEC

瑞萨

UPG2008TB-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPG2008TB-E3

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    GaAs INTEGRATED CIRCUIT

更新时间:2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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