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UPD75316BGK-XXX-BE9

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES ·Ultra-low-voltageoperationpossible:VDD=2.0to6.0V •Canbedrivenbytwo1.5-Vmanganesebatteries. ·On-chipmemory •Programmemory(ROM) :16256´8bits(mPD75316B) :12160´8bits(mPD75312B) •Datamemory(RAM) :1024´4bits

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-6-2 15:25:00
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