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UPD75312BGC-XXX-3B9

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES · Ultra-low-voltage operation possible: VDD = 2.0 to 6.0 V • Can be driven by two 1.5-V manganese batteries. · On-chip memory • Program memory (ROM) : 16256 ´ 8 bits (mPD75316B) : 12160 ´ 8 bits (mPD75312B) • Data memory (RAM) : 1024 ´ 4 bits

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-8-6 11:33:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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