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UPD753104GK-XXX-8A8

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Low voltage operation: VDD = 1.8 to 5.5 V • Can be driven by two 1.5 V batteries • Internal memory • Program memory (ROM): 4096 × 8 bits (μPD753104) 6144 × 8 bits (μPD753106) 8192 × 8 bits (μPD753108) • Data memory (RAM): 512 × 4 bits • Capable of high-speed operation and vari

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-8-12 23:01:00
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