位置：首页 > IC中文资料 > UPD75308BGF-XXX-3B9
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UPD75308BGF-XXX-3B9 | MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES · Ultra-low-voltage operation possible: VDD = 2.0 to 6.0 V • Can be driven by two 1.5 V manganese batteries. · On-chip memory • Program memory (ROM) : 8064 ´ 8 bit (mPD75308B) : 6016 ´ 8 bit (mPD75306B) : 4096 ´ 8 bit (mPD75304B) • Data memory (RAM) : 512 ´ 4 bit · Instruction exe | RENESAS 瑞萨 |   |
更新时间：2025-10-21 12:16:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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