位置：首页 > IC中文资料 > UPD75308BGC-XXX-3B9
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UPD75308BGC-XXX-3B9 | MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES · Ultra-low-voltage operation possible: VDD = 2.0 to 6.0 V • Can be driven by two 1.5 V manganese batteries. · On-chip memory • Program memory (ROM) : 8064 ´ 8 bit (mPD75308B) : 6016 ´ 8 bit (mPD75306B) : 4096 ´ 8 bit (mPD75304B) • Data memory (RAM) : 512 ´ 4 bit · Instruction exe | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
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NEC |
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