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UPD75308BGC-XXX-3B9

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES ·Ultra-low-voltageoperationpossible:VDD=2.0to6.0V •Canbedrivenbytwo1.5Vmanganesebatteries. ·On-chipmemory •Programmemory(ROM):8064´8bit(mPD75308B) :6016´8bit(mPD75306B) :4096´8bit(mPD75304B) •Datamemory(RAM):512´4bit ·Instructionexe

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-5-18 23:00:00
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