位置：首页 > IC中文资料 > UPD753012GK-XXX-BE9
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UPD753012GK-XXX-BE9 | MOS INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Low voltage operation: VDD = 2.2 to 5.5 V · Can be driven by two 1.5 V batteries • On-chip memory · Program memory (ROM): 12288 ´ 8 bits (mPD753012) 16384 ´ 8 bits (mPD753016) 24576 ´ 8 bits (mPD753017) · Data memory (RAM): 1024 ´ 4 bits | RENESAS 瑞萨 |   |
更新时间：2026-2-19 14:26:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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