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UPD753012GC-XXX-3B9

MOS INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES • Low voltage operation: VDD = 2.2 to 5.5 V · Can be driven by two 1.5 V batteries • On-chip memory · Program memory (ROM): 12288 ´ 8 bits (mPD753012) 16384 ´ 8 bits (mPD753016) 24576 ´ 8 bits (mPD753017) · Data memory (RAM): 1024 ´ 4 bits

RENESAS

瑞萨

更新时间:2026-2-23 9:02:00
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