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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
650 V, 3 A ultrafast recovery rectifier 1. General description High power density, ultrafast switching time recovery rectifier with high-efficiency planar technology, encapsulated in a small and flat lead CFP5 (SOD128) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Reverse voltage VR ≤ 650 V • Forward c | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 |   | ||
650 V, 3 A ultrafast recovery rectifier 1. General description High power density, ultrafast switching time recovery rectifier with high-efficiency planar technology, encapsulated in a small and flat lead CFP5 (SOD128) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • Reverse voltage VR ≤ 650 V • Forward c | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | | ||
POWER MANAGEMENT IC for USB-OTG 文件：2.01354 Mbytes Page：29 Pages | TI 德州仪器 | | ||
POWER MANAGEMENT IC for USB-OTG 文件：2.01354 Mbytes Page：29 Pages | TI 德州仪器 | | ||
Power-Management IC 文件：1.92564 Mbytes Page：27 Pages | TI1 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
20+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
51291 |
原装优势假一赔命 |
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ST |
24+ |
开发板 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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ST |
21+ |
开发板 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
|||
ST |
2021+ |
开发板 |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
|||
ST |
24+ |
SMD |
17900 |
光学传感器开发工具? |
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ST |
24+ |
开发板 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
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ST |
25 |
开发板 |
6000 |
原装正品 |
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ST |
2023+ |
开发板 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
UPD65030GF规格书下载地址
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2024-5-20UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌：Renesas 包装：50 封装：BGA240
2021-9-3UPD720114GA-YEU-AT
UPD720114GA-YEU-AT，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD720114GA-9EU-A
UPD720114GA-9EU-A，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器
描述 该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路，它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管，该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路，使用双极晶体管。此外，驱动电流可以调节，在节电模式下使用外部电阻器。因此，该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。 特征 •兼容电源电压3V-/5V- •引脚兼容与mPD16803 •低（顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和）ON电阻 R
2013-2-5UPD16813-整体式双H桥驱动器电路
描述 该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。 特征 •低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。 •低电流消耗：国际直拨电话= 100 mA最大。 •降噪电路，操作时INC已关闭。 •小型表面贴装封装：16引脚SOP的塑
2013-2-5
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